的一个挑战拓扑材料领域的研究是如何保持重要的拓扑行为在一个实际的条件。在这项工作中,我们研究了鲁棒性的边缘状态在一个二维拓扑水晶绝缘子(2 d TCI)和方法基于平面bismuthene模型修改它们。使用第一原理计算和沃尼埃紧束缚模型,我们发现镜面对称保护重要的拓扑阶段能够保持在薄膜与衬底弱相互作用,或者当一个三明治堆积。我们也表明spin-filtered边缘的2 d TCI可以强烈的镜面对称破坏领域时,终端有一定的优势。尽管在这种情况下这样的边缘国家成为拓扑重要缺陷,边缘目前仍需在自旋电子自旋过滤和可能仍然是有用的应用程序。最后我们演示了通过调节界面距离,或者在三明治结构,应用旋转bismuthene边缘带隙可以打开,这有效地关闭重要的拓扑状态。本研究可以为方法来优化提供指导或保持这些优势州TCI-based电子设备的设计的主持人
楚天王教授是一个博士生使用/ Nikhil Medhekar莫纳什大学,使用基本的量子力学模拟研究拓扑绝缘体材料的电子结构研究主题1、拓雷竞技苹果版扑材料。