对高性能钨联硒化物场效应晶体管

Yi-Hsun Chen博士候选人,莫纳什大学

过渡金属dichalcogenides (tmd)收到了很多关注,因为它们吸引电子的性质。我们现在的制造过程和电性质atomically-thin钨联硒化物场效应晶体管(WSe2场效应晶体管)。与传统的光刻,华沙证交所2场效应晶体管通过集成标准干传输技术与pre-patterned multi-probe电极。four-probe传输测量数据使我们能够提取WSe的载流子迁移率和接触电阻2场效应晶体管。我们的未来是追求高性能WSe工作2设备通过减少接触电阻,铺平了道路研究激子超流体双1 l-tmds异质结构。

的主持人

Yi-Hsun陈是一个实验物理学家和教授迈克尔·元首和一起工作陈博士Shao-Yu莫纳什大学,在那里他研究“bose - einstein”冷凝物使用设备使用2 d材料建造,寻求激子超流体二维材料中量子井。

他的研究属于舰队2研究主题激子超流体。对于博士学位项目,他是使用2 d材料创建双量子井薄绝缘层隔开,一个有前途的结构产生长寿命电子空穴对,称为间接激子。间接激子可以形成一个激子超流体,从而生成dissipationless电流。