拓扑开关专利证明了FLEET在未来低能耗电子技术卓越中心领域的主导地位

专利作者左为Mark Edmonds博士，右为Michael Fuhrer教授(莫纳什大学物理与天文学院)。

两项专利申请，其中一项于2020年提交，巩固了FLEET在拓扑晶体管领域的世界领先地位。

这些专利涵盖了拓扑材料的“开关”工作，以促进功能拓扑晶体管的创建，这是新一代超低能量电子设备。

他们的世界首次成功是通过在两种状态之间应用电场来切换材料:“正常”(传统)电绝缘体和拓扑绝缘体。

拓扑绝缘体是相对较新发现的材料，只在其边缘导电。

“在这些边缘路径中，电子只能向一个方向移动，”专利合著者、FLEET AI博士马克·埃德蒙兹(莫纳什大学物理与天文学院)解释说。“这意味着不会有‘后向散射’，而后向散射是导致传统电导体产生电阻的原因。”

与传统的电导体不同，这种拓扑边缘路径可以携带能量耗散接近于零的电流，这意味着拓扑晶体管可以比传统的电子设备消耗更少的能量。他们也有可能更快地转换。

FLEET是拓扑场效应晶体管领域的全球领导者:

这两项专利申请中的一项是在2016年提交的(由莫纳什大学拥有)，另一项是在2020年提交的(由莫纳什大学、新南威尔士大学和卧龙岗大学拥有)。

像拓扑晶体管这样的超低能量电子器件将允许计算继续增长，而不受可用能量的限制，因为我们接近传统硅基电子器件可实现的改进的终点(这种现象被称为摩尔定律的终结)。

“超低能量拓扑电子学是一种用更少能量做更多计算的潜在方法，”共同专利作者FLEET主任Michael Fuhrer教授(也在莫纳什大学物理与天文学院)解释说。

“信息和通信技术(ICT)已经消耗了全球8%的电力，而且每十年翻一番。”

这项新研究是实现功能性拓扑晶体管目标的重大进展。

对这项技术感兴趣?请联系下面的莫纳什创新。