纳什:通过arp测量磁场拓扑绝缘体

主管:博士马克·埃德蒙兹

实现新的固有磁场拓扑绝缘体和异质结构无损运输应用高温

范德瓦耳斯材料有大量不同的电子属性包括拓扑绝缘体(Bi (TI)的行为2Se3/ Bi2Te3在2 d (CrI)和铁磁性3)。然而,这些材料是不同即他们拥有拓扑或磁性而不是两个。固有磁场拓扑绝缘体MnBi2Te4最近被提出并实验验证批量反铁磁性的拓扑绝缘体,主机内在魅力和拓扑保护。以薄膜形式,MnBi2Te4量子反常霍尔绝缘子,电流沿着手性边缘国家没有消散,无损运输与潜在的应用程序。然而,操作温度可以实现无损的传输是由基本电子和磁特性如能带和磁点温度(居里/奈尔温度)。对于MnBi2Te4、无损的传输在液氦温度下才实现。

在这个项目中你将会加入一个小组工作的前沿领域专家在2 d系统的发展。1 - 3你的目标将会增加新的固有磁场拓扑材料,以及设计师铁磁体/拓扑绝缘体异质结构,预计量子反常霍尔绝缘体雷竞技苹果版在更高的温度。样品将用分子束外延(MBE),这是一种技术,允许精确的外延增长和控制大面积的电影。成功种植这些材料后,你将雇佣angle-resolved光电子能谱(arp)在澳大利亚同步与国际同步加速器等先进的光源,伯克利为了研究电子bandstructure。理解能带隙的大小,测量厚度和温度相关的拓扑相变。

1c . x Trang . .m·t·埃德蒙兹,从2 d铁磁绝缘体交叉宽禁带量子反常霍尔在超薄MnBi绝缘子2Te4,ACS Nano DOI: 10.1021 / acsnano.1c03936
2问:李. .m·t·埃德蒙兹,大型能带量子反常霍尔绝缘子设计师ferromagnet-topological insulator-ferromagnet heterostructre,arXiv: 2105.08298
3j·柯林斯,. .m·t·埃德蒙兹,在超薄Na Electric-field-tuned拓扑相变3Bi自然,DOI: 10.1038 / s41586 - 018 - 0788 - 5

注:资金

申请人须持有一级荣誉或硕士学位(或同等学历),应该有一个强大的物理背景。此外,广告位置适合有经验的申请者在实验物理,特别是表面科学和凝聚态物理。

重要的日期和奖学金金额:

每年四个应用程序轮,31日的国际学生的最后期限3、31日8月31日,国内学生5 - 31日十月。学生将每年获得29500美元的奖学金,和顶级优秀的候选人也可能有资格获得充值奖学金每年高达10000美元。

联系马克埃特蒙德博士(Mark.Edmonds@monash.edu感兴趣的)或提交一个表达式的更多信息fleet.org.au /博士学位。