雷竞技苹果版拓扑材料，如拓扑绝缘体和拓扑狄拉克半金属，是一类新的物质，具有新的和令人兴奋的电子性质。允许广泛的新物理被探索，并有可能创造革命性的新电子设备，有可能通过一维边缘模式传输电荷而不耗散。我们团队在该领域取得了许多突破性的发现，包括第一个电场调谐拓扑相变[1]的实验观测，薄膜拓扑Dirac半金属[2]的第一个输运测量，并在拓扑绝缘体薄膜[3]中确定了螺旋边缘态输运的新特征。
在这个项目中，您将通过分子束外延生长新的2D和3D拓扑材料和本征磁性拓扑绝缘体，并通过掺雷竞技苹果版杂3D过渡金属或接近效应来研究磁性的作用。成功种植这些奇异材料后，您将通过磁测和反常霍尔效应测量来研究磁性能。您还将研究在高磁场和低温下使用输运测量的电子性质。这将涉及在高达1T的磁场下5K的超高真空条件下的测量，或在高达14T的磁场下0.3K-300K的极端温度下的测量。
申请人应持有一级荣誉或硕士学位(或同等学历)，并应具有强大的物理背景。此外，广告中的职位还适合有实验物理经验的申请人，特别是表面科学或凝聚态物理。
1 .柯林斯，..， M. T. Edmonds，超薄Na3Bi的电场调谐拓扑相变，自然，DOI: 10.1038/s41586-018-0788-5
2 J. Hellerstedt, M. T. Edmonds，等，高质量外延拓扑Dirac半金属薄膜的电子性能，纳米学报，16,3210 (2016)
3刘春华，等，纳米Na3Bi薄膜中螺旋边缘输运的特征，arXiv:1906.01214
注:资金
申请人需要申请莫纳什研究生奖学金https://www.monash.edu/__data/assets/pdf_file/0011/944471/RTP-Scholarships-Procedure.pdf。
重要日期及奖学金金额:每年有两轮申请，截止日期为31人圣3月31日圣8月国际申请者。学生将获得每年27,872美元的奖学金，排名第一或优秀的候选人也有资格获得在候选人期间每年最高10,000美元的补充奖学金。
联络艾德蒙兹博士(Mark.Edmonds@monash.edu)或Julie Karel博士(Julie.Karel@monash.edu)查阅更多资料或申请。
有兴趣的申请人必须符合莫纳什大学博士入学要求。看到https://www.monash.edu/graduate-research/future-students/apply获取更多信息。