Pankaj Sharma博士,新南威尔士大学研究员
二碲化钨2作为一种层状过渡金属二硫化物(TMD),它表现出优异的物理和电子性能,为研究具有非平凡能带结构的低维材料的物理提供了一个肥沃的场地。然而,WTe2在空气中氧化,导致表面氧化层的形成,引入无序和恶化电子电荷传输。因此,这种表面氧化物抑制了WTe的固有特性2并且会导致设备性能的下降。
在本研究中,我们报道了WTe中表面氧化物的形成及其动力学2通过原子力显微镜(AFM)、拉曼光谱和椭圆偏振测量相结合的单晶。测量结果揭示了不均匀的表面氧化物动力学,在饱和后的几个小时的大气暴露产生自限制约2.5纳米厚的非晶表面层。
此外,在一个受控的环境中,包括持续流动的氮(N2),表面氧化物的形成便会受到极大的阻碍。这些结果为研究WTe的表面降解机制提供了新的思路2,在努力实现WTe的优化设计和性能时,应考虑到这一点2的设备。
关于主讲人
Pankaj Sharma博士是新南威尔士大学a / Jan Seidel教授的博士后研究助理。Sharma博士的专长是扫描探针显微镜技术和铁电复合物氧化物。
在FLEET, Sharma博士正在研究电场诱导的拓扑界面(如铁电畴壁和LaAlO)的可控可重写操作3./ SrTiO3.纳米尺度的异质界面,用于开发超低能量纳米电子器件(研究主题1、拓雷竞技苹果版扑材料和启用技术主题B).
