磁阻的测量多晶和非晶态Bi2Te3薄膜

博士生,莫纳什大学

晶体拓扑绝缘体在凝聚态的前沿研究在过去的十年。然而,无序拓扑绝缘体没有太多的细节检查自当前模型的拓扑绝缘体严重依赖于材料的电子能带结构。没有必要的平移对称性来创建一个定义良好的倒易空间无序材料一直被认为不具有拓扑性质。然而,最近的理论模型预测无序材料拓扑保护的存在状态。这张海报将温度依赖的磁电阻、霍尔效应、温度依赖的电阻率测量多晶和非晶态Bi2Te3薄膜。这些早期的结果显示材料展览anti-localization疲软。

的主持人

亚历山大阮博士是材料工程师处理朱莉卡雷尔莫纳什大学,在那里他执行magnetoelectronic传输测量非晶态拓扑绝缘体在舰队的研究主题1使能技术B。实验的一个重要目标是实现topologically-protected州在一个非晶态材料,这可能会带来一些好处在晶体材料。

另一个主要的职业关注亚历山大正在改善多样性在学术界,尤其是在干。他是一个酷儿官莫纳什大学研究生协会,帮助组织活动支持同性恋在蒙纳士大学的毕业生,和最近成为第一个多样性和包容委员会的成员在莫纳什大学材料科学与工程部门。