二维电子气在LaAlO3 / SrTiO3(老挝/ STO)接口已经成为一个有吸引力的平台为新型纳米电子设备。控制活动功能接口通过电气或机械方式在这方面的特殊利益。在这里,我们调查的新方法电场控制横向控制接口和修改其电子特性在横断面样本,允许直接访问depth-resolved物理性质的测量。本地扫描探针测量与电特性使我们能够建立field-driven可逆氧气空位迁移是增强和抑制电子电导率的起源在老挝/停止。这些结果指向新的可能性的设备财产控制在复杂氧化物异质结构和含高导电薄膜设计接口。的主持人
风扇霁是博士生使用/简·塞德尔教授在新南威尔士大学。她的研究侧重于理解和改善氧化物异质结构的纳米尺度的功能,如基于老挝/ STO通过将纳米和描述方法。