研究半导体中的自旋-轨道耦合

形象图

平面外磁场一维子带的塞曼分裂。这些数据也显示了反交叉的证据,如蓝色箭头所示。由于额外的磁约束,子带也表现出更高能量的曲率。

自旋-轨道相互作用(SOI),是电子的固有角动量(它们的量子自旋)和它们围绕原子核的轨道之间的相互作用。这种相互作用是拓扑材料功能的关键,FLEET对拓扑材料进行了研究,因为它们有可能形成电雷竞技苹果版流的超低电阻路径。

最近的一项研究研究了砷化镓量子点接触中自旋-轨道相互作用之间的关系。

研究表明,我们可以在量子点接触中检测到两种已知形式的自旋-轨道相互作用的特征,甚至可以通过改变衬底的方向来控制它们的相互作用。

这项研究发表在APS物理的物理评论快报2017年4月。

三位参与研究的作者是FLEET的首席研究员:奥列格Sushkov领导人工纳米材料和横向调制氧化物界面的理论研究。他还研究了激子凝聚体和冷原子中的理论多体相互作用。Oleh pokalchuk Klochan领导制造和测量人工设计的拓扑绝缘体使用传统半导体。亚历克斯·汉密尔顿领导研究主题1他指导了人工工程拓扑材料的研究。雷竞技苹果版

这项工作得到了澳大利亚研究委员会在发现项目计划下的支持,部分使用了澳大利亚国家制造工厂新南威尔士节点的设施。