西门提•Bhattacharyya
过渡金属二卤属化合物(TMDCs)是目前研究最广泛的一类二维材料，其原因包括场效应几何结构的高开关比、自旋自由度与谷度的耦合以及单层极限的直接带隙等。然而，在这些材料中实现良好的电接触一直具有挑战性，因为接触沉积产生的杂质带上的费米能级钉住导致了高肖特基势垒。这个问题可以通过在TMDC和接触金属之间插入超薄绝缘体层作为隧道屏障来绕过，这可以防止在TMDC-金属界面上形成缺陷，并减少由于偶极子效应造成的屏障。六方氮化硼(hBN)已经成功地用于这一目的，但生长大面积、无缺陷的超薄hBN层是棘手的。在这项工作中，我们尝试使用触摸印刷的Ga2O3.作为隧道屏障，它有能力使大面积(mm尺度)隧道接触器件成为现实。
关于主讲人
Semonti Bhattacharyya博士是FLEET三位首届女性研究员之一，她正在为FLEET研究主题1做出贡献，雷竞技苹果版，研究主题2，激子超流体赋能技术主题A，atomically-thin材料，与教授合作迈克尔的元首．
作为一名实验凝聚态物理学家，她在拓扑材料的电输运特性和二维材料及其异质结构的纳米制造方面进行了广泛的研究。雷竞技苹果版她非常积极地探索这些材料在低功耗电子产品中的未来应用的各种能力。
