荣誉项目:在二维半导体表面成像电子波

扫描隧道光谱(STS)与扫描隧道显微镜(STM)相结合,是在真实空间中探索材料电子特性的强大工具,因为它允许以原子分辨率探测局部电子态密度(DOS)。STS可以可视化电子状态的空间调制,并捕获集体现象,如源于电子从缺陷散射的驻波模式。此外,在DOS的变化可以用来研究电子相变。

在这个项目中,你将对过渡金属二卤族MoS进行广泛的研究2通过STM&STS。您将在元首实验室获得新切割材料的数据,通过在低温下使用最先进的设备学习扫描探针显微镜的基础知识。您将研究缺陷周围电子的行为(如原子空位),并验证通过应用强电场在晶体中诱导局部结构相变(从2H到1T)的可能性。如果时间允许,您将研究碱金属沉积对这种相变的影响。

如有任何疑问,请致电Iolanda Di Bernardo医生iolanda.dibernardo@monash.edu, Mark Edmonds博士在mark.edmonds@monash.edu或者Michael Fuhrer教授michael.fuhrer@monash.edu

请登录https://www.monash.edu/science/schools/physics/honours/honours-project申请。