探测量子相变和脱散在拓扑绝缘体与环球电导波动

拓扑绝缘体是一种新的材料的特点是线性无间隙的表面状态,出现在大部分带隙乐队由于非平凡的拓扑结构。这些边界状态是一个有利可图的新兴技术,例如,(我)未来的低功率电子产品,(ii)量子计算由于拓扑保护的电子状态。然而,一些问题仍然需要解决实现拓扑绝缘体在上述技术的成功整合。

这样的一个问题是,关掉拓扑场效应晶体管的唯一方法是诱导拓扑相变,即改变拓扑绝缘体的琐碎的绝缘子断裂系统的一些基本对称,如时间反演对称性或镜面对称。在我演讲的第一部分,我将现在的结果我的博士在印度,印度,等直接探测拓扑在三维拓扑绝缘体相变Bi1.6Sb0.4Te2Se磁场的函数与环球电导波动[1]。我也会给更新在我们最近的工作莫纳什大学,我们正致力于工程拓扑相变范德华异质结构的拓扑绝缘体。

成功集成作为基本单元拓扑绝缘体在量子量子比特需要全面了解零相位化机制管理这些材料的表面运营商。在我演讲的第二部分,我想强调好奇的饱和情况下的相位相干性拓扑绝缘体和演示实验的调查来了解它的起源[2]。

引用

[1]Saurav伊斯兰教,西门提•Bhattacharyya Hariharan Nhalil, Suja伊丽莎白和丹Ghosh物理评论B, 2018, 97, 241412(右)
[2]Saurav伊斯兰教,西门提•Bhattacharyya Hariharan Nhalil, Mitali Banerjee,安东尼•Richardella阿Kandala, Diptiman Sen, Nitin Samarth Suja伊丽莎白,丹Ghosh arXiv: 1904.08517

西门提•Bhattacharyya完成了她的印度科学研究所的物理学博士学位,班加罗尔。广泛地说,她感兴趣的领域是实验凝聚态物理。她的论文工作主要集中在障碍在介观动力学和量子传输拓扑绝缘体和磁掺杂样品拓扑绝缘体。

目前,她的工作是学院的物理学和天文学博士后研究员,莫纳什大学,墨尔本。她创造了一个遥控精确建立制造范德瓦耳斯异质结构的二维材料,她正在研究拓扑相变的范德瓦耳斯异质结构拓扑绝缘体。