相变材料2 d先进电子产品

  • 2021年9月2日
    上午11 - 12点

阿尔伯特·达维多夫、材料科学与工程部门

国家标准与技术研究院,美国马里兰州盖瑟斯堡

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会议ID: 876 1237 0573 /密码:12345

分层的范德瓦耳斯二维材料,包括过渡金属dichalcogenides (TMD),使广泛的先进电子应用程序。能够操作电气和光学性质的外部刺激结构相变TMD材料打开一个可能制造节能非易失性记忆和运输设备。在本课程中,我将讨论控制增长和可逆相变ditelluride钼单晶针对上述应用程序。

小错2结晶在接下来的三个多型体:

  • 2 h半导体阶段,温度在室温下稳定
  • 1 t的金属相稳定超过870°C
  • Td拓扑半金属、稳定低于-25°

我们已经2 h和1 t的散装单晶化学汽运输和研究动态温度引起2 h«1 t的相变使用干细胞,XRD、XPS和拉曼。此外,我们操纵2 h-to-1t的转变温度用莫莫的W1 - xWxTe2合金。值得注意的,合金成分纯WTe蔓延2打开一个可能性提高1 t的«1 td转变温度从拓扑简单1 T的新形式二型Td阶段高于室温。

实验知识之间的关系2 h, 1 T, Td多种类型的映射在尘埃2——WTe2相图,让我们和我们的合作者制作RRAM[1],横向同质结场效应晶体管[2]一个轨道photogalvanic探测器[3]设备。

阿尔伯特·达维多夫是一个领袖在NIST功能性纳米材料集团关注材料为先进的电子技术和流程,磁学,能源和催化作用。他收到了莫斯科国立大学化学博士学位(俄罗斯),将于2022年在NIST庆祝他25年的职业生涯。他的研究兴趣包括制造、加工、各种电子材料的微观结构特征包括半导体纳米线、2 d和量子材料。他的专长还包括热力学建模和实验研究的金属和半导体材料相图系统。

他属于以下:229(纳米技术)技术委员会国际标准化组织(ISO);纳电子学计算研究的科学顾问委员会(nCORE)计划在半导体研究公司(SRC);和应用物理评论杂志的顾问委员会。他还作为半导体任务组负责人的国际衍射数据中心(ICDD),参考材料工作组的联合主席ASTM委员会化合物半导体,有光学与光子学会议主席,低维材料和设备。

引用:

  1. f . Zhang et al .,在垂直MoTe电场诱导结构过渡2和莫1 - xWxTe2自然材料的电阻记忆,18 55 (2019)
  2. R。马et al ., MoTe2横向同质结场效应晶体管制造使用Flux-Controlled阶段工程,ACS Nano 13 (2019) 8035
  3. z霁et al .,光电流的探测光的轨道角动量,科学368 (2020)763

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杰森主要