- 10月19日
下午4点至5点
Semonti Bhattacharyya，莱顿大学莱顿物理研究所
莫纳什大学，墨尔本，ARC未来低能耗电子技术卓越中心
石墨烯和拓扑绝缘体中的低能电子由于其线性带结构而表现为狄拉克费米子。这些电子与普通半导体相比是独特的，因为它们具有无间隙的性质，并且可以防止散射，从而产生优越的电子性能。此外，根据它们的性质，这些状态出现在表面，使它们容易受到来自周围环境的外部干扰。
我们的目标是利用这些扰动来操纵这些狄拉克费米子的电子性质。对这种相互作用的刻意操作可以产生新的紧急状态，并导致新颖的功能设备。
在演讲的第一部分，我将探讨介质的影响(特别是挤压印刷的Ga2O3.)接近石墨烯，以及它们对散射电子的影响。在石墨烯中，电输运通常受到基体的限制，这是由于石墨烯电子被基体中的带电杂质和远程光学声子散射造成的。SiO上毫米尺度钝化和裸CVD石墨烯的温度依赖性电测量2/Si表明，钝化石墨烯保持了较高的场效应迁移率，具有良好的应用前景。令人惊讶的是，由于SiO的远程光学声子模式的相互作用，在低于230 K的温度范围内，钝化石墨烯中的温度依赖性电阻率降低了2Ga的高介电常数2O3.， Ga的特征声子频率相对较高2O3.．拉曼光谱和电性测量表明Ga2O3.钝化还可以防止石墨烯进一步加工，如等离子体增强的Al原子层沉积2O3.．
在演讲的第二部分，我还将介绍我们在拓扑绝缘体范德华异质结构工程拓扑相变方面的最新工作，并简要介绍我在莱顿大学的新研究小组的未来计划。
Semonti是莱顿物理研究所(
