舰队研讨会:布兰卡比尔-电子性质和过渡金属dichalcogenides SPM表征

布兰卡比尔

格拉纳达大学

宣传单可以在这里下载。都欢迎!

文摘:

在这个演讲我将最近的工作过渡金属的电子性质和SPM表征dichalcogenides (tmd)和横向异质结构,基于密度泛函理论模拟。特别是,我将回顾一些结果STM和AFM在独立MoS几个点状缺陷的表征₂[1,2];红外光谱的影响》(111)和非盟(111)基板等的STM图像缺陷,所证实的实验证据(3、4);他们的潜在应用气体传感器[5];和我们的初步工作横向WS₂华沙证交所₂异质结构,指出界面扩展电子态的存在。

[1]c·冈萨雷斯,b .比尔Y.J. Dappe,纳米技术105702 (2016)

[2]c·冈萨雷斯Y.J. Dappe,比尔,期刊。化学。C 120, 17115 (2016)

[3]i Delac马里昂,d . Capeta b . Pielic f . Faraguna a·盖拉多p砰,b .比尔:Vujicic和m . Kralj(提交)

[4]n奎恩,Ch, Lotze p砰,比尔和k .因特网(准备)

[5]比尔等。(准备)

演讲者:

布兰卡比尔在1999年接受了m .物理学Sc.从格拉纳达大学(格拉纳达,西班牙),完成了她的物理学博士学位(荣誉)马德里自治大学的(2006年马德里,西班牙),论文采用基于电子运输叛逃碳纳米管。经过两年的博士后留在CEA-LETI(法国格勒诺布尔)在电子和传输性能的掺杂石墨烯材料她加入了格拉纳达大学(西班牙),她是一个研究员的原子,分子和核物理。

比尔博士的研究兴趣包括研究—两维的电子和量子输运性质材料的原子论的结合(密度泛函理论和紧束缚方法)和量子传输(非平衡格林函数)模拟工具。尤其是,她的作品主要关注障碍在原子尺度的影响在这个系统中,如原子空缺或掺杂物,模拟,采用基于方法的扫描探针显微镜(STM和AFM)这些缺陷的表征。

更新的出版物:http://www.researcherid.com/rid/c - 5296 - 2009