随着FLEET的王晓林在国际合作中创造的室温铁磁半导体，实际自旋电子器件的障碍已经降低。
虽然半导体自旋电子学具有更低的开关能量和更快的速度，但其发展成为可行技术的主要限制是缺乏室温铁磁半导体材料。
来自中国两所大学和卧龙岗大学的研究人员进行了一项合作研究，通过控制氧空位和载流子密度，研究了单晶薄膜中磁交换相互作用的生长控制工程。
产生了强铁磁性、自旋分裂杂质态和自旋极化电输运，并且在室温下得到了很好的控制。
这种室温铁磁半导体提供了单独控制载流子密度和磁掺杂的能力，将为在室温下工作的实际自旋电子器件的发展奠定坚实的基础。
这项研究发表在材料化学2017年2月。
合著者小林王领导FLEET的原子薄材料使能技术项目。新型原子薄材料形成FLEET研究的基础，包括拓扑材料(雷竞技苹果版研究主题1)，作为激子的宿主(研究主题二)和产生临时(非平衡)拓扑现象(研究主题三）.