硅外延石墨烯(例如)3 c-sic提供直接的能力,圆片规模增长和石墨烯和硅技术的无缝集成,为低损耗高频晶体管和纳米光子学与特定的承诺。这些应用程序都需要一个彻底的传输特性进行分析,这种石墨烯可以提供和是否有能力进行动态优化。为了解决日益增长的几个挑战外延石墨烯在通常非常缺陷3 c-sic / Si系统,我们使用固体源alloy-mediated方法到3 c-sic highly-resistive硅晶片获得大规模的,如电绝缘。我们发现如强烈p型掺杂,而热分解的n型掺杂如原文如此,由于底物的电荷转移,其中包括硅酸盐。如/ 3的估计平均自由程c-sic远小于估计如晶粒尺寸,这进一步表明衬底相互作用占主导地位的电荷传输/ 3 c-sic。
此外,我们发现电子运输如/ 3 c-sic遵循相同的流动与单载波浓度幂律行为如生长在六角SiC(0001),表明他们也拥有同样的电导率——尽管他们的晶粒大小有很大的不同。因此我们得出结论,在观察到的政权,周围的接口在交通方面发挥更重要的作用比石墨烯的晶粒尺寸。
我们正在扩展我们的研究调查的可调谐性载体浓度如使用top-gated场效应晶体管。Top-gated石墨烯场效应晶体管(GFET)组合使用alloy-mediated如优化载体浓度和展示在不同的栅电压双极性的特点。高频特性调查使用共面波导(CPW)和傅里叶变换红外(FTIR)光谱。这些方法将使区分各种散射机制影响如及其电荷传输的高频响应达到优越的纳米光子学集成功能从纳电子学。
的主持人
博士Aiswarya Pradeepkumar教授和博士生大卫Katzmarek与弗朗西斯卡的居所,通信与电子、工学院和生产。在舰队,弗朗西斯卡是助理研究员在研究石墨烯的低能电子设备。她还负责太少了,建议潜在的应用和集成新技术策略生成的舰队人员。
