Vivasha Govinden博士学生,新南威尔士大学
纳米铁电拓扑,如极地skyrmions flux-closures,漩涡,antivortices,最近和泡沫领域,已经引起相当大的关注。在这些拓扑结构、极化向量可以安排在一个复杂的方式,经常与极化卷发。这样执行旋转的极化导致当地静电学和应变的变化可以影响功能性质,如增强导电性,负电容,手性和增强的磁性。
这些令人兴奋的属性可能会允许这样的拓扑缺陷有待开发下一代电子设备。进一步,使这些铁电架构设备,它成为必要的操作拓扑缺陷和调节合成功能属性。
我们早些时候显示纳米泡沫的确定性和可逆的操纵域通过机电dual-pass使用扫描探针显微镜技术。是成年人泡沫领域可以完全抹去在外部机械力和使用临界直流脉冲偏压被重新创建。在这里,我们报告的动态导电性纳米泡沫在超薄铁电PbZr域0.2“透明国际”0.8O3(压电)sandwich-structured电影。导电原子力显微镜(CAFM)揭示了一个健壮的导电性是成年人泡沫领域,大大小相比,他们周围的矩阵。当泡沫域电和机械地抹去,他们的轨迹显示降低电导率比在增长的。重复扫描直流偏压下的同一地区推动泡沫的一个进化成复杂的是伴随着第一峰值的传导。
进一步扫描继续过渡到单个域状态逐渐减少传导。这些结果表明,全面了解结构和电子之间的相互作用行为必须精确控制重要的铁电纳米电子功能的拓扑。目前,理论计算和进一步的实验正在进行解开原点观察动态电导的泡沫。
的主持人
Vivasha Govinden伊Valanoor教授的博士生在新南威尔士大学研究铁电耦合的铁电薄膜之间的间隔,导致外来铁电域,可以导致一个巨大的机电响应。一个增强的机电响应奈米电子传感器是应用的关键,记忆和逻辑设备和机电系统。这项工作属于舰队研究主题1、拓扑材料雷竞技苹果版。
