我们用超快激光脉冲证明了单层WS带结构的绝热控制2通过Floquet工程。换句话说，激光脉冲的周期电场打扮了半导体的布洛赫带。打扮带之间的相互作用，然后导致能量转移，避免交叉和潜在的诱导拓扑相变。
使用相干光谱来激发和探测基激态和/或K-K '激子的相干叠加，可以详细了解激子之间的相互作用以及与环境的相互作用。理解这些过程对于我们理解如何驱动拓扑带结构至关重要。我们的初步测量显示，在室温下退相干时间为35fs，并且我们能够在脉冲持续时间小于30fs的情况下绝热控制能带结构。
关于主讲人
Stuart Earl博士是斯威本大学(Swinburne University)的博士后研究员，与a / Jeffrey Davis教授合作，应用超快多维光谱技术研究FLEET新兴材料中的非平衡拓扑现象研究主题三而且研究主题2．