使能技术B

Nanodevice制造

王教授将局域网

王教授/ Lan

领袖,使技术B,
皇家墨尔本理工大学

舰队是一个伟大的平台建立与当地和国际研究人员的合作,让我们一起分享想法和工作。

专业知识:低温和磁性领域电子和自旋传输;拓扑绝缘体;磁性材料;自旋电子和magneto-electronic设备;设备制造;生长单晶、薄膜和纳米结构

研究成果王(Lan):
100 +论文
3200 +引用
32 h指数(斯高帕斯)

舰队的研究位于边界的凝聚态物理中什么是可能的。因此,纳米制造功能的设备将该中心的最终的成功的关键。

专业技术需要集成小说atomically-thin,二维(2 d)材料为高质量、高性能nanodevices。

例如,成功开发的功能需要atomically-thin拓扑晶体管拓扑绝缘体结合电气盖茨。和exciton-polariton冷凝设备将需要结合atomically-thin半导体光学腔。

Nanodevice制造和描述链接舰队的许多组织和节点。有些团体带来设备制造方面的专业知识,而其他团体在设备描述。

舰队带来澳大利亚强度在精密加工和纳米加工与世界领先的专业知识范德瓦耳斯hetero-structure就是secu * tanu减去vdW ()制造建立先进atomically-thin设备制造能力。

埃琳娜Ostrovskaya

  • 演示electrically-tuned磁邻近效应vdW hetero-structures
  • 意识到量子反常霍尔效应在铁磁拓扑绝缘体
  • 调查就是secu * tanu减去vdW拓扑材料hetero-structure旋转运输
  • 演示电气控制2 d铁磁体的磁性。

  • 就是secu * tanu减去vdW显示electrically-tuned层间耦合的材料通过一个质子的大门,与潜在的应用程序在不同vdW hetero-structure设备(见案例研究)
  • 演示了使用液态金属镓催化分解形成碳碳键(石墨的基础表)在室温下有机燃料
  • 教授与舰队发起的液态金属分拆公司调查员Kourosh Kalantar-zadeh和托本Daeneke博士
  • 从理论上证明拓扑量子场效应晶体管(TQFET)可以在电压低于传统的晶体管开关,克服“玻耳兹曼的暴政”,和开发设计规则2 d拓扑材料用于TQFET;雷竞技苹果版提交专利申请
  • 建立新的ultra-low-disorder人造石墨烯制造技术在传统半导体晶体
  • 展示了强劲的负微分电阻在室温下超薄氧化物铁电超晶格

你知不知道……

信息和通信技术(ICT)现在造成全球变暖的航空业。

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